IAUC100N08S5N043ATMA1 vs IAUC100N04S6N015ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC100N08S5N043ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC100N04S6N015ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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IAUC100N08S5N043ATMA1 IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ 활성
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IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC100N08S5N043ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.72 $0.78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series IAUC / OptiMOS 5 —
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) —
Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 100 A (package limited) —
Continuous Drain Current (chip-limited) 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W —
Maximum R<sub>DS(on)</sub> 4.3 mΩ —
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 125 W (T<sub>C</sub>) —
동작 온도 범위 -55°C to +175°C -55 C to +175 C (junction, typical)
패키지 PG-TDSON-8-34 (SuperSO8) PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 8 —
습도 민감도 레벨 (MSL) MSL1 (up to 260°C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
RoHS / REACH RoHS Compliant (Green Product) —
Technology OptiMOS 5 (Trench) N-Channel Trench MOSFET
Channel Mode Enhancement —
Product Family — OptiMOS-6 40V
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D @ T_C=25C) — 100 A
Power Dissipation (P_D @ T_C=25C) — 100 W
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 1.5 mΩ (typical, per Infineon product page)
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
MSL 레벨 — 1 (unlimited floor life)
RoHS Compliance — Compliant
Lead-Free — Yes

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