IAUC120N04S6N009ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUC120N04S6N009ATMA1 von Infineon und IAUCN04S7N019GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUC120N04S6N009ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,60 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 40V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 120 A —
Gepulster Drain-Strom [DATA_NEEDED: pulsed I_D value] —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 0.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Total Gate Charge Q_g typ [DATA_NEEDED: Q_g typical] —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Thermal Resistance R_thJC max 1.0 K/W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per family datasheet)
MSL-Level 1 —
RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per Infineon product page) —
Product Family — OptiMOS 7
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]

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