IAUC120N04S6N009ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC120N04S6N009ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N019GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC120N04S6N009ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,60 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 40V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 120 A —
Courant de drain pulsé [DATA_NEEDED: pulsed I_D value] —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 0.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Total Gate Charge Q_g typ [DATA_NEEDED: Q_g typical] —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Thermal Resistance R_thJC max 1.0 K/W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per family datasheet)
Niveau MSL 1 —
RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per Infineon product page) —
Product Family — OptiMOS 7
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]

Fiches techniques et ressources

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