IAUC120N06S5L032ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUC120N06S5L032ATMA1 von Infineon und BSC027N04LSGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUC120N06S5L032ATMA1 BSC027N04LSGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $0,54
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 (60 V) OptiMOS 3
Transistortyp N-Channel, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_j) 120 A —
R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) 3.2 mOhm —
Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) 94 W —
Gehäuse PG-TDSON-8-34 (5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C (T_j) -55°C to +150°C
Technology OptiMOS 5 Trench OptiMOS 3 (Trench)
AEC-Q101 Qualified Yes —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge Q_G [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
Verlustleistung (TC=25°C) — 83 W
Halogenfrei — Yes

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