IAUC120N06S5L032ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC120N06S5L032ATMA1 par Infineon et BSC027N04LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC120N06S5L032ATMA1 BSC027N04LSGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $0,54
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 (60 V) OptiMOS 3
Type de transistor N-Channel, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_j) 120 A —
R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) 3.2 mOhm —
Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) 94 W —
Boîtier PG-TDSON-8-34 (5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C (T_j) -55°C to +150°C
Technology OptiMOS 5 Trench OptiMOS 3 (Trench)
AEC-Q101 Qualified Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge Q_G [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
Dissipation de puissance (TC=25°C) — 83 W
Sans halogène — Yes

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