IAUC41N06S5L100ATMA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUC41N06S5L100ATMA1 von Infineon und BSP316PH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUC41N06S5L100ATMA1 IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC41N06S5L100ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUC41N06S5L100ATMA1 BSP316PH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,43 $0,21
Technology OptiMOS 5 (Trench MOSFET) SIPMOS (P-channel MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 41 A —
Power Dissipation (PD, TC) 42 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 10 mOhm at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C -55 C to +150 C (junction)
Gehäuse PG-TDSON-8-33 (TDSON-8, 5x6 mm) PG-SOT223-4 (TO-261-4)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101 automotive grade) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Interconnect Copper clip (low-inductance) —
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Anzahl der Pins — 3 + thermal tab
Channel Mode — Enhancement
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern