IAUC41N06S5L100ATMA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC41N06S5L100ATMA1 par Infineon et BSP316PH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC41N06S5L100ATMA1 IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC41N06S5L100ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC41N06S5L100ATMA1 BSP316PH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,43 $0,21
Technology OptiMOS 5 (Trench MOSFET) SIPMOS (P-channel MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 41 A —
Power Dissipation (PD, TC) 42 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 10 mOhm at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55 C to +150 C (junction)
Boîtier PG-TDSON-8-33 (TDSON-8, 5x6 mm) PG-SOT223-4 (TO-261-4)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101 automotive grade) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Interconnect Copper clip (low-inductance) —
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Nombre de broches — 3 + thermal tab
Channel Mode — Enhancement
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

Fiches techniques et ressources

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