IAUC41N06S5N102ATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUC41N06S5N102ATMA1 von Infineon und IAUC120N04S6N010ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,58 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 47 A (Tj) —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 42 W —
On-Resistance (RDS(on)) 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.4 V (typical) —
Total Gate Charge (QG) 12.5 nC —
Gehäuse PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless)
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family) AEC-Q101
RoHS-Status Compliant Compliant
Channel Polarity N-Channel (single) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc) — 150 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 150 W
RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.0 mΩ
RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) — 1.03 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) — 3 V (at 90 µA)
Technology — OptiMOS 6
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family)
Gate Drive Recommendation — 10 V VGS for full RDS(on) spec
Polarity — Single N-channel

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