IAUC50N08S5N102ATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUC50N08S5N102ATMA1 von Infineon und IAUC120N04S6N010ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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IAUC50N08S5N102ATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 ✓ Aktiv
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IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUC50N08S5N102ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,51 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 50 A —
On-Resistance (RDS(on)) 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 21 nC @ 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 1394 pF @ 40 V —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 60 W —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family)
Gehäuse / Bauform PG-TDSON-8-33 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc) — 150 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 150 W
RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.0 mΩ
RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) — 1.03 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) — 3 V (at 90 µA)
Technology — OptiMOS 6
Gehäuse — PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Gate Drive Recommendation — 10 V VGS for full RDS(on) spec
Polarity — Single N-channel

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