IAUC50N08S5N102ATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC50N08S5N102ATMA1 par Infineon et IAUC120N04S6N010ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC50N08S5N102ATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 ✓ Actif
Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC50N08S5N102ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,51 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 50 A —
On-Resistance (RDS(on)) 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 21 nC @ 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 1394 pF @ 40 V —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 60 W —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family)
Boîtier / Format PG-TDSON-8-33 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc) — 150 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 150 W
RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.0 mΩ
RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) — 1.03 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) — 3 V (at 90 µA)
Technology — OptiMOS 6
Boîtier — PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Gate Drive Recommendation — 10 V VGS for full RDS(on) spec
Polarity — Single N-channel

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