IAUC60N04S6L039ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUC60N04S6L039ATMA1 von Infineon und BSC027N04LSGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUC60N04S6L039ATMA1 BSC027N04LSGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,72 $0,54
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 6 (trench) OptiMOS 3 (Trench)
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 60 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 240 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 3.9 milliohm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (P_D) 42 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C —
Gehäuse PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS-Status Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
Verlustleistung (TC=25°C) — 83 W
Betriebstemperaturbereich — -55°C to +150°C
Halogenfrei — Yes

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