IAUC60N04S6L039ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC60N04S6L039ATMA1 por Infineon e BSC027N04LSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC60N04S6L039ATMA1 BSC027N04LSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,72 $0,54
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 6 (trench) OptiMOS 3 (Trench)
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 60 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 240 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 3.9 milliohm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (P_D) 42 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Status RoHS Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
Dissipação de potência (TC=25°C) — 83 W
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +150°C
Livre de halogênio — Yes

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