IAUC90N10S5N062ATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUC90N10S5N062ATMA1 von Infineon und BSC0906NSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUC90N10S5N062ATMA1 BSC0906NSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,95 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 90 A —
Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 6.2 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 3.8 V —
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 115 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gehäuse PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5) OptiMOS
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS / Green Product Yes (RoHS compliant, Green Product) —
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 63 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction, typical)
Pin-Anzahl — 8
RoHS-Status — Compliant

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern