IAUCN04S6N013TATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN04S6N013TATMA1 von Infineon und IAUCN04S7N019GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN04S6N013TATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,66 $0,82
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 230 A at T<sub>C</sub> —
R<sub>DS(on)</sub> (max) 1.32 mΩ at V<sub>GS</sub> = 10 V —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 133 W at T<sub>C</sub> —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) 2.6 V (typ) —
Total Gate Charge (Q<sub>g</sub>) 52 nC at V<sub>GS</sub> = 10 V —
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) 1.08 nF —
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) 3.7 nF —
Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) 51 pF —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse PG-LHDSO-10-1 (SSO10T) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per family datasheet)
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]

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