IAUCN04S6N013TATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 比較
詳細な並列比較: IAUCN04S6N013TATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7N019GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | IAUCN04S6N013TATMA1 | IAUCN04S7N019GATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.66 | $0.82 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | 230 A at T<sub>C</sub> | — |
| R<sub>DS(on)</sub> (max) | 1.32 mΩ at V<sub>GS</sub> = 10 V | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 133 W at T<sub>C</sub> | — |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | 2.6 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Q<sub>g</sub>) | 52 nC at V<sub>GS</sub> = 10 V | — |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) | 1.08 nF | — |
| Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) | 3.7 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) | 51 pF | — |
| 動作接合温度 | -55 °C to +175 °C | — |
| パッケージ | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 (per family datasheet) |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 147 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.95 mOhm |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 81 W |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy PCB |
| Lead-Free | — | Yes |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (per ATMA1 suffix) |
| 動作温度範囲 | — | [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] |