IAUCN04S7L019ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN04S7L019ATMA1 von Infineon und BSC027N04LSGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN04S7L019ATMA1 BSC027N04LSGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $0,54
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 7 —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 120 A —
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10V 1.91 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max value] —
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) [DATA_NEEDED: Qg total/nominal value] —
Gehäuse PG-TDSON-8-33 PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C to +175°C (junction) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) [DATA_NEEDED: Pd max at 25C] —
Wärmewiderstand, Sperrschicht-Umgebung [DATA_NEEDED: RthJA value] —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 1
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
Standard Pack Quantity 5000 pieces —
Ordering Code Suffix ATMA1 (Tape & Reel 13") —
Product Family — OptiMOS 3
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
Verlustleistung (TC=25°C) — 83 W
Betriebstemperaturbereich — -55°C to +150°C
Technology — OptiMOS 3 (Trench)
Halogenfrei — Yes

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