IAUCN04S7N009ATMA1 vs IAUCN04S6N009TATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN04S7N009ATMA1 von Infineon und IAUCN04S6N009TATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S6N009TATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,55 $1,71
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V 0.96 mΩ —
Gate Drive Voltage (V_GS) 10 V —
Gehäuse PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-LHDSO-10-2 (SSO10T)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55C to +175C —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
MSL-Level 1 —
RoHS-Status Compliant —
Configuration Single N-Channel —
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34 —
Part Family — OptiMOS 6 40 V
Part Number — IAUCN04S6N009T
Ordering Code (MPN) — IAUCN04S6N009TATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, at Tj) — 330 A
Power Dissipation (PD, at Tc) — 178 W
On-Resistance RDS(on) max — 0.9 mΩ
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Gate Threshold VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]

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