IAUCN04S7N009ATMA1 vs IAUCN04S6N009TATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N009ATMA1 par Infineon et IAUCN04S6N009TATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S6N009TATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,55 $1,71
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V 0.96 mΩ —
Gate Drive Voltage (V_GS) 10 V —
Boîtier PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-LHDSO-10-2 (SSO10T)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +175C —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Niveau MSL 1 —
Statut RoHS Compliant —
Configuration Single N-Channel —
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34 —
Part Family — OptiMOS 6 40 V
Part Number — IAUCN04S6N009T
Ordering Code (MPN) — IAUCN04S6N009TATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, at Tj) — 330 A
Power Dissipation (PD, at Tc) — 178 W
On-Resistance RDS(on) max — 0.9 mΩ
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Gate Threshold VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Fiches techniques et ressources

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