IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN04S7N019GATMA1 von Infineon und IAUC120N04S6N010ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN04S7N019GATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
Gehäuse PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc) — 150 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 150 W
RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.0 mΩ
RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) — 1.03 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) — 3 V (at 90 µA)
Technology — OptiMOS 6
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family)
Gate Drive Recommendation — 10 V VGS for full RDS(on) spec
Polarity — Single N-channel

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