IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN04S7N019GATMA1 メーカー: Infineon および IAUC120N04S6N010ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN04S7N019GATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.82 $0.68
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
パッケージ PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc) — 150 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 150 W
RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.0 mΩ
RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) — 1.03 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) — 3 V (at 90 µA)
Technology — OptiMOS 6
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family)
Gate Drive Recommendation — 10 V VGS for full RDS(on) spec
Polarity — Single N-channel

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