IAUCN08S7N024ATMA1 vs IAUZ30N08S5N186ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN08S7N024ATMA1 von Infineon und IAUZ30N08S5N186ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN08S7N024ATMA1 IAUZ30N08S5N186ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,89 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Series Automotive OptiMOS 7 (80 V) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 165 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 2.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Technology OptiMOS 7 trench OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench)
Gehäuse PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad) PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (typical automotive) -55 °C to +175 °C (automotive)
Verlustleistung (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance Compliant —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Typical Application 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch —
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 30 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 41 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status]

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