IAUCN08S7N024ATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN08S7N024ATMA1 von Infineon und IAUZ40N10S5N130ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN08S7N024ATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,89 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series Automotive OptiMOS 7 (80 V) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 165 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 2.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Technology OptiMOS 7 trench OptiMOS 5 (super-junction trench)
Gehäuse PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad) PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (typical automotive) -55°C to +175°C (TJ)
Verlustleistung (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance Compliant —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Typical Application 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch —
Part Number — IAUZ40N10S5N130ATMA1
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
RDS(on) max at VGS=10V — 13 mΩ
RDS(on) typical — 10 mΩ
Maximum Power Dissipation (Tc) — 68 W
Lead-Free / RoHS — ROHS3 Compliant

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