IAUCN08S7N024ATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN08S7N024ATMA1 por Infineon e IAUZ40N10S5N130ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN08S7N024ATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,89 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series Automotive OptiMOS 7 (80 V) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 165 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 2.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Technology OptiMOS 7 trench OptiMOS 5 (super-junction trench)
Encapsulamento PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad) PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (typical automotive) -55°C to +175°C (TJ)
Dissipação de potência (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance Compliant —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Typical Application 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch —
Part Number — IAUZ40N10S5N130ATMA1
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
RDS(on) max at VGS=10V — 13 mΩ
RDS(on) typical — 10 mΩ
Maximum Power Dissipation (Tc) — 68 W
Lead-Free / RoHS — ROHS3 Compliant

Fichas técnicas e recursos

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