IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN10S7L290TATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN10S5L280DATMA1 von Infineon und IAUCN10S7L290TATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S7L290TATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,62 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS™ 7
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Gehäuse PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction) —
Pin-Anzahl 8 —
MSL-Level 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant —
Packing Tape & Reel (T&R) —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 27 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 28.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 45 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
RoHS Compliance — Compliant
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes
ESD Protection — HBM Class 1C (per Infineon datasheet)

Datenblätter & Ressourcen

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