IAUCN10S7N074ATMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN10S7N074ATMA1 von Infineon und IAUCN04S7N027GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN10S7N074ATMA1 IAUCN04S7N027GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,62 $0,72
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS™ 7 (Shielded-Gate Trench) —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 78 A (Tj) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 96 W (Tc) —
R<sub>DS(on)</sub> (typ at V<sub>GS</sub>=10 V) 7.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) ±20 V —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gehäuse PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 5x6 mm) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 8 (with exposed pad) —
MSL-Level MSL2 (1 year) [DATA_NEEDED: MSL]
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Application 48 V Automotive Systems —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds max) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) — 117 A
On-Resistance (Rds(on) max) — 2.67 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 70 W (Tc)
Gehäuse / Bauform — PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6)
Qualification — Automotive
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Gate-Source Voltage Max (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy FR-4

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