IAUZ40N06S5N050ATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUZ40N06S5N050ATMA1 von Infineon und ISC011N06LM5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1 - 60V 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ40N06S5N050ATMA1 - 60V 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ40N06S5N050ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUZ40N06S5N050ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $0,74
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, TC) 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-State Resistance (RDS(on), typ) 5 mΩ at VGS=10 V —
Maximum Power Dissipation (PD) 71 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 1.7 V —
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 5
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Gehäuse PG-TSDSON-8-33 (3.3 x 3.3 mm) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
Pin-Anzahl 8 8
Montageart Surface Mount Surface Mount
Thermal Resistance (RthJC, max) [DATA_NEEDED: RthJC] —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C -55C to +175C
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Packaging Tape & Reel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — ISC011N06LM5ATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 288 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
RDS(on) max at VGS=10V — 1.15 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

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