IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IAUZ40N08S5N100ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUZ40N10S5N130ATMA1 von Infineon und IAUZ40N08S5N100ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N08S5N100ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUZ40N08S5N100ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,52 $0,71
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IAUZ40N10S5N130ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (super-junction trench) OptiMOS-5 N-Channel MOSFET
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
RDS(on) max at VGS=10V 13 mΩ —
RDS(on) typical 10 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc) 68 W —
Gehäuse PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C (TJ) -55 °C to +175 °C (TJ)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS ROHS3 Compliant —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 40 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 68 W
On-Resistance RDS(on) max — 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge Qg typ — 24.2 nC @ VGS=10 V
Input Capacitance Ciss — 1591 pF @ VDS=40 V
Gate-Source Voltage VGS max — ±20 V
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status — Compliant
Channel Type — N-Channel

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