IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IAUZ40N08S5N100ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUZ40N10S5N130ATMA1 par Infineon et IAUZ40N08S5N100ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N08S5N100ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUZ40N08S5N100ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,52 $0,71
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IAUZ40N10S5N130ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (super-junction trench) OptiMOS-5 N-Channel MOSFET
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
RDS(on) max at VGS=10V 13 mΩ —
RDS(on) typical 10 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc) 68 W —
Boîtier PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C (TJ) -55 °C to +175 °C (TJ)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS ROHS3 Compliant —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 40 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 68 W
On-Resistance RDS(on) max — 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge Qg typ — 24.2 nC @ VGS=10 V
Input Capacitance Ciss — 1591 pF @ VDS=40 V
Gate-Source Voltage VGS max — ±20 V
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS — Compliant
Channel Type — N-Channel

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