IAUZN04S7L030ATMA1 vs IAUC100N04S6L020ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUZN04S7L030ATMA1 von Infineon und IAUC100N04S6L020ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUZN04S7L030ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,36 $0,86
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 60 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) 100 A —
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) 3.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 58 W —
Operating Junction Temperature (Tj) -55C to +175C —
Technology Family OptiMOS-7 —
Channel Type N-Channel —
Gehäuse PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm² PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (Automotive OptiMOS) —
RoHS Compliance Compliant —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS — 40 V
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Power Dissipation (Tc) — 75 W
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A — 2.04 mΩ
RDS(on) Typical — 2.0 mΩ
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical — 2.0 V
Technology — OptiMOS 6
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +175 °C (TJ)
Qualification — Automotive grade
Packaging — Tape & Reel (TMA1)
RoHS-Status — Compliant

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