IAUZN04S7L030ATMA1 vs IAUC100N04S6L020ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUZN04S7L030ATMA1 par Infineon et IAUC100N04S6L020ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUZN04S7L030ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,36 $0,86
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 60 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) 100 A —
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) 3.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 58 W —
Operating Junction Temperature (Tj) -55C to +175C —
Technology Family OptiMOS-7 —
Channel Type N-Channel —
Boîtier PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm² PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (Automotive OptiMOS) —
RoHS Compliance Compliant —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS — 40 V
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Power Dissipation (Tc) — 75 W
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A — 2.04 mΩ
RDS(on) Typical — 2.0 mΩ
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical — 2.0 V
Technology — OptiMOS 6
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C (TJ)
Qualification — Automotive grade
Packaging — Tape & Reel (TMA1)
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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