IAUZN04S7L030ATMA1 vs IAUCN04S7N009ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUZN04S7L030ATMA1 von Infineon und IAUCN04S7N009ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUZN04S7L030ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,36 $1,55
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 60 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) 100 A —
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) 3.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 58 W —
Operating Junction Temperature (Tj) -55C to +175C —
Technology Family OptiMOS-7 —
Channel Type N-Channel —
Gehäuse PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm² PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (Automotive OptiMOS) —
RoHS Compliance Compliant —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 7
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V — 0.96 mΩ
Gate Drive Voltage (V_GS) — 10 V
Betriebstemperatur — -55C to +175C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
RoHS-Status — Compliant
Configuration — Single N-Channel
Supplier Device Package — PG-TDSON-8-34

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