IAUZN08S7L177ATMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUZN08S7L177ATMA1 von Infineon und IAUC120N04S6N009ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUZN08S7L177ATMA1 IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUZN08S7L177ATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,89 $1,60
Technology OptiMOS 7 N-channel power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 35 A (Tj) —
Power Dissipation (PD) 45 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 17.7 mΩ max —
Gehäuse PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
Betriebstemperatur -55C to +175C (Tj, automotive grade) —
Configuration Single —
Qualification AEC-Q101 automotive —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Lead-Free Yes —
RoHS-Status Compliant —
Family Infineon OptiMOS 7 automotive, 80 V —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 6 40V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 120 A
Gepulster Drain-Strom — [DATA_NEEDED: pulsed I_D value]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 0.9 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Total Gate Charge Q_g typ — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Thermal Resistance R_thJC max — 1.0 K/W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per Infineon product page)

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