IGLD60R070D1AUMA3 vs IGLR70R200D2SXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IGLD60R070D1AUMA3 von Infineon und IGLR70R200D2SXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IGLD60R070D1AUMA3 IGLR70R200D2SXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,10 $1,24
Technology GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off) GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 700 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 15 A 9.3 A
Power Dissipation (PD, Tc) 114 W 34 W
On-Resistance (RDS(on)) 70 mΩ (typical, VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] 1.26 nC
Output Charge (Qoss) [DATA_NEEDED: Qoss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) Near zero (GaN technology) —
Input Capacitance (Ciss) 380 pF @ 400 V (per Utmel) —
Gehäuse PG-LSON-8-1 (LSON-8 with exposed pad) PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled)
Montageart Surface Mount —
MSL-Level 3 —
Halogenfrei Yes —
RoHS-Status Compliant —
Operating Temperature (Tj) [DATA_NEEDED: Tj max] —
Series CoolGaN™ —
Polarity N-Channel —
Packaging Tape & Reel —
Factory Pack Quantity 3000 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolGaN G5
Channel Type — N-Channel
On-Resistance (RDS(on), max) — 200 mΩ
Output Capacitance (Coss) — 91 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 0.21 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.2 V
Betriebstemperaturbereich — -40 °C to +150 °C
RoHS — Compliant

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern