IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGT65R025D2ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IGLR70R200D2SXUMA1 von Infineon und IGT65R025D2ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ Aktiv
Infineon
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 - 650V 70A GaN FET, PG-HSOF-8 | Infineon

IGT65R025D2ATMA1 - 650V 70A GaN FET, PG-HSOF-8 | Infineon

IGT65R025D2ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IGLR70R200D2SXUMA1 IGT65R025D2ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,24 $8,55
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN G5 CoolGaN Gen2 (G5)
Channel Type N-Channel —
Technology GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) GaN-on-Si, 200 mm wafer, wide-bandgap
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 9.3 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 34 W —
On-Resistance (RDS(on), max) 200 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 1.26 nC —
Output Capacitance (Coss) 91 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 0.21 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 1.2 V —
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +150 °C -55C to +150C (junction, typical)
Gehäuse PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) PG-HSOF-8 (source-down, bottom-cooled)
RoHS Compliant —
Transistortyp — N-Channel GaN HEMT, enhancement-mode
Drain-Source Voltage (Vdss) — 650 V
Continuous Drain Current (Id, Tc) — 70 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 236 W
On-State Resistance (Rds(on)) — 25 mΩ (typical, per MPN suffix)
Montageart — Surface Mount
Gate Threshold (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Output Charge (Qoss) — [DATA_NEEDED: Qoss typical value]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — Near-zero (GaN characteristic)
RoHS-Status — Compliant
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern