IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGT65R025D2ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IGLR70R200D2SXUMA1 por Infineon e IGT65R025D2ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ Ativo
Infineon
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 - 650V 70A GaN FET, PG-HSOF-8 | Infineon

IGT65R025D2ATMA1 - 650V 70A GaN FET, PG-HSOF-8 | Infineon

IGT65R025D2ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IGLR70R200D2SXUMA1 IGT65R025D2ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,24 $8,55
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN G5 CoolGaN Gen2 (G5)
Channel Type N-Channel —
Technology GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) GaN-on-Si, 200 mm wafer, wide-bandgap
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 9.3 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 34 W —
On-Resistance (RDS(on), max) 200 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 1.26 nC —
Output Capacitance (Coss) 91 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 0.21 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 1.2 V —
Faixa de temperatura de operação -40 °C to +150 °C -55C to +150C (junction, typical)
Encapsulamento PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) PG-HSOF-8 (source-down, bottom-cooled)
RoHS Compliant —
Tipo de transistor — N-Channel GaN HEMT, enhancement-mode
Drain-Source Voltage (Vdss) — 650 V
Continuous Drain Current (Id, Tc) — 70 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 236 W
On-State Resistance (Rds(on)) — 25 mΩ (typical, per MPN suffix)
Tipo de montagem — Surface Mount
Gate Threshold (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Output Charge (Qoss) — [DATA_NEEDED: Qoss typical value]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — Near-zero (GaN characteristic)
Status RoHS — Compliant
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fichas técnicas e recursos

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