IPB014N06NATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB014N06NATMA1 von Infineon und IPC50N04S5L5R5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB014N06NATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,10 $0,36
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 34 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 214 W —
On-Resistance RDS(on) max 1.4 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse PG-TO263-7 (D2PAK-7) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (trench-gate) —
Avalanche Rating 100% avalanche tested 100 % Avalanche Tested
Qualification JEDEC qualified for target applications —
Primary Application Synchronous rectification, motor control —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +175 °C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

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