IPB014N06NATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB014N06NATMA1 por Infineon e IPC50N04S5L5R5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB014N06NATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,10 $0,36
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 34 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 214 W —
On-Resistance RDS(on) max 1.4 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TO263-7 (D2PAK-7) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (trench-gate) —
Avalanche Rating 100% avalanche tested 100 % Avalanche Tested
Qualification JEDEC qualified for target applications —
Primary Application Synchronous rectification, motor control —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

Fichas técnicas e recursos

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