IPB081N06L3GATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB081N06L3GATMA1 von Infineon und IPD50N06S409ATMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB081N06L3GATMA1 IPD50N06S409ATMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,95 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Gehäuse PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 8.1 mOhm typical —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 79 W —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C (junction) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Anzahl der Pins 3 —
Pin Configuration Gate / Drain / Source (D2PAK standard) —
Technology OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET) N-Channel MOSFET (OptiMOS)
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 (unlimited) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
Pin-Anzahl — 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

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