IPB081N06L3GATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB081N06L3GATMA1 por Infineon y IPD50N06S409ATMA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB081N06L3GATMA1 IPD50N06S409ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,95 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Encapsulado PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 8.1 mOhm typical —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 79 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C (junction) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Número de pines 3 —
Pin Configuration Gate / Drain / Source (D2PAK standard) —
Technology OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET) N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 (unlimited) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Recuento de pines — 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

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