IPB17N25S3100ATMA1 vs IAUZ30N06S5L140ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB17N25S3100ATMA1 von Infineon und IAUZ30N06S5L140ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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IPB17N25S3100ATMA1 IPB17N25S3100ATMA1 - 250V 17A N-Channel MOSFET | Infineon

IPB17N25S3100ATMA1 - 250V 17A N-Channel MOSFET | Infineon

IPB17N25S3100ATMA1 ✓ Aktiv
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IAUZ30N06S5L140ATMA1 IAUZ30N06S5L140ATMA1 - 60V 30A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N06S5L140ATMA1 - 60V 30A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N06S5L140ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB17N25S3100ATMA1 IAUZ30N06S5L140ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,84 $0,96
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPB17N25S3100ATMA1 —
Transistortyp N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 250 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 64 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 100 mOhm max @ VGS = 10 V —
Typical RDS(on) 19.3 mOhm (manufacturer trench-technology figure, per datasheet collateral) —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V 2.2 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) 19 nC @ VGS = 10 V 12.2 nC @ VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) 1.5 nF —
Output Capacitance (Coss) 23 pF 888 pF @ VDS=30 V
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 625 pF —
Power Dissipation (PD) 107 W at Tc = 25 C —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C —
Gehäuse PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) PG-TSDSON-8-32 (S3O8, 3x3 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 C peak reflow) —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Avalanche Rated 100% avalanche tested —
RoHS-Status Compliant (Green Product) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 30 A (Tj)
Power Dissipation (PD, Tc) — 33 W
RDS(on) Max @ VGS=10 V — 14 mΩ
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +175°C
Technology Family — OptiMOS 5
Automotive Grade — AEC-Q101 qualified
Gate-Source Voltage Max — ±20 V
Lead-Free / RoHS — Yes (RoHS compliant)

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