IPB17N25S3100ATMA1 vs IAUZ30N06S5L140ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB17N25S3100ATMA1 par Infineon et IAUZ30N06S5L140ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPB17N25S3100ATMA1 | IAUZ30N06S5L140ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,84 | $0,96 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPB17N25S3100ATMA1 | — |
| Type de transistor | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 250 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 17 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 64 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 100 mOhm max @ VGS = 10 V | — |
| Typical RDS(on) | 19.3 mOhm (manufacturer trench-technology figure, per datasheet collateral) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V | 2.2 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) | 19 nC @ VGS = 10 V | 12.2 nC @ VGS=10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.5 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 23 pF | 888 pF @ VDS=30 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 625 pF | — |
| Power Dissipation (PD) | 107 W at Tc = 25 C | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Boîtier | PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) | PG-TSDSON-8-32 (S3O8, 3x3 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 (up to 260 C peak reflow) | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| Avalanche Rated | 100% avalanche tested | — |
| Statut RoHS | Compliant (Green Product) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 30 A (Tj) |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 33 W |
| RDS(on) Max @ VGS=10 V | — | 14 mΩ |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55°C to +175°C |
| Technology Family | — | OptiMOS 5 |
| Automotive Grade | — | AEC-Q101 qualified |
| Gate-Source Voltage Max | — | ±20 V |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (RoHS compliant) |