IPB35N10S3L26ATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB35N10S3L26ATMA1 von Infineon und BSC016N06NSTATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB35N10S3L26ATMA1 BSC016N06NSTATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,15 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T —
Channel Type N-Channel —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 35 A —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
Package Type PG-TO263-3 (D2PAK-2) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) —
Channel Mode Enhancement —
RDS(on) (typical per Infineon product page) 26.3 mΩ —
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80 nC —
Maximum Drain-Source Resistance Rds 1.7 mΩ (per RS Components listing) —
Minimum Operating Temperature -55 C —
Maximum Power Dissipation Pd 81 W (per RS Components listing) —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
AEC-Q101 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status] —
Part Number — BSC016N06NSTATMA1
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 5
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 167 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Gehäuse — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +150 C
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL level]
Lead-Free — Yes
Series — OptiMOS

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