IPB35N10S3L26ATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB35N10S3L26ATMA1 por Infineon e BSC016N06NSTATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB35N10S3L26ATMA1 BSC016N06NSTATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,15 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T —
Channel Type N-Channel —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 35 A —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
Package Type PG-TO263-3 (D2PAK-2) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Channel Mode Enhancement —
RDS(on) (typical per Infineon product page) 26.3 mΩ —
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80 nC —
Maximum Drain-Source Resistance Rds 1.7 mΩ (per RS Components listing) —
Minimum Operating Temperature -55 C —
Maximum Power Dissipation Pd 81 W (per RS Components listing) —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
AEC-Q101 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status] —
Part Number — BSC016N06NSTATMA1
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 5
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 167 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Encapsulamento — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +150 C
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Lead-Free — Yes
Series — OptiMOS

Fichas técnicas e recursos

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