IPB35N10S3L26ATMA2 vs IPD50N04S408ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB35N10S3L26ATMA2 von Infineon und IPD50N04S408ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IPB35N10S3L26ATMA2 IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB35N10S3L26ATMA2 IPD50N04S408ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $0,69
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS Power-Transistor OptiMOS-T2
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 35 A —
Gepulster Drain-Strom 180 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
RDS(on) (typical) 26.3 mOhm —
Gehäuse PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C -55 °C to +175 °C
Anzahl der Pins 3 —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
RoHS-Status Compliant —
Automotive Qualified Yes (per Infineon product page classification) —
Polarity — N-Channel
Mode — Enhancement-mode
Drain-Source Voltage (V DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I D, Tc) — 50 A
Power Dissipation (P D, Tc) — 46 W
MSL-Level — MSL1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Tested — 100 % Avalanche tested
Green Package (RoHS) — RoHS compliant
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) — [DATA_NEEDED: V GS(th) typical]
On-State Resistance (R DS(on)) — [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V]
Total Gate Charge (Q G) — [DATA_NEEDED: Q G typical]

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern