IPB70N10S3L12ATMA1 vs IPB70N10S3L12ATMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB70N10S3L12ATMA1 von Infineon und IPB70N10S3L12ATMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB70N10S3L12ATMA1 IPB70N10S3L12ATMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,65 $1,92
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS (IPB70N10) —
Transistortyp N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse / Bauform PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified AEC-Q101
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested 100% tested
Halogenfrei Yes —
FET Type — N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C — 70 A
R<sub>DS(on)</sub> (Max) @ V<sub>GS</sub>=10V — 11.8 mΩ
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C — 125 W
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: V<sub>GS(th)</sub> typical/min/max]
Betriebstemperaturbereich — -55°C to +175°C
Gehäuse — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Peak Reflow Temperature — 260°C (JEDEC J-STD-020)
RoHS / Green Compliance — Compliant (Green product)
Technology — OptiMOS-T trench
Polarity — N-Channel Enhancement Mode

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