IPB70N10S3L12ATMA1 vs IPB70N10S3L12ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB70N10S3L12ATMA1 por Infineon e IPB70N10S3L12ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB70N10S3L12ATMA1 IPB70N10S3L12ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,65 $1,92
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS (IPB70N10) —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento / Caixa PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified AEC-Q101
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested 100% tested
Livre de halogênio Yes —
FET Type — N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C — 70 A
R<sub>DS(on)</sub> (Max) @ V<sub>GS</sub>=10V — 11.8 mΩ
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C — 125 W
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: V<sub>GS(th)</sub> typical/min/max]
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +175°C
Encapsulamento — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Peak Reflow Temperature — 260°C (JEDEC J-STD-020)
RoHS / Green Compliance — Compliant (Green product)
Technology — OptiMOS-T trench
Polarity — N-Channel Enhancement Mode

Fichas técnicas e recursos

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