IPC70N04S5L4R2ATMA1 vs IPB120N04S402ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPC70N04S5L4R2ATMA1 von Infineon und IPB120N04S402ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPC70N04S5L4R2ATMA1 IPB120N04S402ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $1,85
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 70 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 50 W —
R_DS(on) Max @ Vgs=10V 4.2 mΩ (typ) —
Gate Threshold (Vgs(th)) Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5 V —
Gehäuse PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TO263-3 (D2PAK)
Operating Temperature (Tj) -55°C to +175°C —
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level MSL1 (up to 260°C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Avalanche Tested 100% (60 A production test) —
RoHS-Status Compliant (Green Product) —
Configuration Single with Built-in Diode —
Case Connection DRAIN —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, TC) — 120 A
Power Dissipation (PD, TC) — 158 W
RDS(on) (typ @ VGS=10 V) — 1.8 mΩ
Pin-Anzahl — 3 (2 + Tab)
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +175 °C
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy Rating — 100% Avalanche Tested
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow)
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)

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