IPD034N06N3GATMA1 vs IPD031N06L3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD034N06N3GATMA1 von Infineon und IPD031N06L3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD034N06N3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,51 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 OptiMOS 3
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 167 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 4 V at 93 uA —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin Configuration 3-Pin (2 + Tab) —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55°C to +175°C
RoHS-Status Compliant (Pb-free green finish) Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product page) —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (Unlimited)
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 167 W
RDS(on) Max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.2 V
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) — 4.5 V, 10 V
Total Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg typical value]

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