IPD034N06N3GATMA1 vs IPD031N06L3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD034N06N3GATMA1 por Infineon e IPD031N06L3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPD034N06N3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,51 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 OptiMOS 3
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 167 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 4 V at 93 uA —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Pin Configuration 3-Pin (2 + Tab) —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55°C to +175°C
Status RoHS Compliant (Pb-free green finish) Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product page) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (Unlimited)
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 167 W
RDS(on) Max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.2 V
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) — 4.5 V, 10 V
Total Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg typical value]

Fichas técnicas e recursos

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