IPD30N08S2L21ATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD30N08S2L21ATMA1 von Infineon und IPD30N10S3L34ATMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IPD30N10S3L34ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N10S3L34ATMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V 26 milliohm (typ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (L series) —
Gate Charge (Qg) typ 56 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 136 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C —
Maximum Junction Temperature +175C —
Gehäuse PG-TO252-3-11 (DPAK-2) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (Drain tab + Gate + Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 30 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 180 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 57 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 31 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage V_GS(th) max — 2.4 V
Total Gate Charge (Qg) max — 31 nC
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Package / Supplier Device Package — PG-TO252-3-11 (DPAK)
Pin / Tab Count — 3 (2 + Tab)
Technology — OptiMOS-T (trench)

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